Авторы:

Васильев С.В.
Герасименко Н.Н.
Ободников В.И.

Заявитель:

Институт физики полупроводников СО АН СССР
Новосибирский государственный университет

СПОСОБ ОТЖИГА ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Номер патента: 1028202
Дата публикации: 20.11.1999
Номер заявки: 3345989/25


Реферат:

Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10