Авторы:

М. М. Некрасов В. С. Савощенко
Киевский ордена Ленина политехнический институт
атентно техничес
бвбд етена МБА

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРОСТАБИЛЬНОЙ КЕРАМИКИ

Номер патента: 270033


Союз Советских Социалистических Республик

ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства Лг° -— Заявлено 03.VI.1968 (№ 1247570/29-33) с
присоединением заявки № —

270033

Кл. 21с, 2/01 80Ь, 8/05

Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров СССР

Приоритет —
Опубликовано 08.У.1970. Бюллетень № 16 Дата опубликования описания 13.VIII.1970
МП К н 01Ь
а 04Ь
УДК 666.342.3(088.8)

Г Всесоюзная
Авторы
изобретения

М. М. Некрасов и В. С. Савощенко

I яатентно-техничесмай I | библиотека МБА
Заявитель

Киевский ордена Ленина политехнический институт
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРОСТАБИЛЬНОЙ КЕРАМИКИ
2
1200°С со скоростью 25°С/час, с выдержкой в течение 1—2 час, охлаждение вместе
с печью. После остывания образцы измельчают. Из полученного порошка любым
известным мето-5 дом изготавливают изделия.
Материал, полученный предложенным способом, обладает повышенной диэлектрической
проницаемостью в области комнатных температур (£'=4000, 1^=1,8—2,5о/0) с
малой 10 изменяемостью ее в области рабочих температур работы конденсаторов
(Д£+80°С = + 10|>/о по отношению к £20°С; Д£ = 14о°с    по отно
шению к £2о°С).
Предмет изобретения
Способ получения температуростабильной керамики путем обжига шихты на
основе окиси титана и соединения бария, отличающийся тем, что, с целью
повышения диэлек-20 трической проницаемости, в качестве соединения бария
используют фтористый барий, а обжиг производят по режиму: нагрев до температуры
диссоциации со скоростью 300°С/час, до температуры 1200°С со скоростью
25°С¡час, 25 выдержка в течение 1—2 час, охлаждение вместе с печью.

1
Изобретение может быть использовано при изготовлении керамических
конденсаторов, используемых в радиоэлектронных устройствах.
Известен способ получения температуростабильной керамики путем обжига шихты на
основе титана и углекислого бария.
Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости.
Достигается это тем, что в качестве соединения бария используют фтористый
барий, а обжиг производят по режиму: нагрев до температуры диссоциации со
скоростью 300°С/час, до температуры 1200°С со скоростью 25°С¡час, с выдержкой в
течение 1—
2 час, охлаждение вместе с печью.    15
■ Шихту приготавливают путем измельчения фтористого бария и окиси титана,
взятых в соотношении 68,7 и 31,3°/0. Перемешивают ее в течение 36 час в
мельницах типа «яшма» при соотношении — масса : вода : шары = 1:1:1. Затем воду
выпаривают, а из полученной смеси прессуют таблетки диаметром 20 мм и высотой 1
мм. Образцы помещают в печь на надсыпке из 2г02 и проводят обжиг по режиму:
нагрев до температуры диссоциации со скоростью 300°С/час, до температуры