Заявитель:

Иркутский институт органической Сибирского отделени
Иркутский институт органической Сибирского отделени
Л. П. Вахрушев Э. В. Серебренникова Н. В. Комаров

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНКЙСОДЕРЖАЩИХ ГЛ И КОЛ ЬКАРБАМАТОВРСЕОСЮЗНА:ХЙЙ^Е1чл-rt.

Номер патента: 295764


295764

3
ИК-спектр (см-1): 751, 802, 1245 (Si—С); 1710, 1547 (I, II амидные полосы С =
0); широкая полоса с центром ~ 3350 (ОН и NH).
Пример 3. p-Гидроксиэтиловый эфир у-триэтоксилилилпропилкарбаминовой кислоты
(III).
Эквимолекулярную смесь у-аминопропил-триэтоксисилана и этиленкарбоната
выдерживают 3—5 час при 40—50°С в атмосфере инертного газа. Получают
неочищеннное соединение III.
Найдено, %: С 44,88; Н 8,84; Si 10,29.
C,2II2706NSi
Вычислено, %: С 46,57; Н 8,79; Si 9,07.
ИК-спектр (см-1): 1255 (Si—-С); набор частот в области 1085—1140 (Si—О, С—О);
1712, 1540, (I, II амидные полосы С = 0); широкая полоса с центром ~ 3335 (ОН,
NH).
Пример 4. Синтез олигосилоксаков на основе p-гидроксиэтилового эфира у-триэто-
ксилилпропилкарбамиповой кислоты.
p-Гидроксиэтиловый эфир у-триэтоксиси-лилпропилкарбаминовой кислоты прогревают
(150—160°С) в вакууме (1—2 мм рт. ст.) до
4
выделения определенного количества этилового спирта. Получают смесь
олигосилоксанов в виде густой вязкой жидкости.
Найдено, о/0:    С 34,83; Н 6,25; Si 15,19;
5 N6,26.
C6H1203NSi
Вычислено, %: С 34,94; Н 5,86; Si 13,61; N 6,79.
ИК-спектр (см-1): 1255 (Si—С); широкая
10 интенсивная полоса в области 1140—1045 (Si —О, С —О); 1710; 1545, (I, II
амидные полосы С=0); широкая полоса с центром ~ 3345 (ОН и NH).
15    Предмет изобретения
1.    Способ получения кремнийсодержащих гликолькарбаматов, отличающийся тем,
что у-аминопропилсилан подвергают взаимодействию с этиленкарбонатом с
последующим
20 выделением целевого продукта известными методами.
2.    Способ по п. 1, отличающийся тем, что процесс ведут при нагревании,
например, до 60—80°С.
Составитель М. Кожинская
Редактор Е. Хорина    Техред Н. И. Наумова    Корректор Н. Л. Вронская
Заказ 793/11 .    Изд. № 365    Тираж 473    Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2